のメーカー トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
| 品番 | メーカー/ブランド | 簡単な説明 | 部品ステータス | FETタイプ | 技術 | ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Rds On（Max）@ Id、Vgs | Vgs（th）（Max）@ Id | ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | Vgs（最大） | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | FET機能 | 消費電力（最大） | 動作温度 | 取付タイプ | サプライヤデバイスパッケージ | パッケージ/ケース |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | 5V | 400 mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 4-Power Tab | 4-SIP | |||
| Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | 5V | 400 mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 8-CDIP-EP | 8-CDIP Exposed Pad | |||
| Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | 5V | 400 mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | 50W (Tj) | Through Hole | 8-CDIP Exposed Pad | |||||
| Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55V | 5V | 400 mOhm @ 100mA, 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 10V | 290pF @ 28V | 50W (Tj) | Through Hole |