品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータスFETタイプ技術ドレイン - ソース間電圧(Vdss)電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On(Max)@ Id、VgsVgs(th)(Max)@ Idゲートチャージ(Qg)(Max)@ VgsVgs(最大)入力容量(Ciss)(Max)@ VdsFET機能消費電力(最大)動作温度取付タイプサプライヤデバイスパッケージパッケージ/ケース
Littelfuse Inc. SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3 ActiveN-ChannelSiCFET (Silicon Carbide)1200V22A (Tc)20V200 mOhm @ 10A, 20V4V @ 5mA57nC @ 20V+22V, -6V870pF @ 800V
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125W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-247-3TO-247-3
Littelfuse Inc. SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3 ActiveN-ChannelSiCFET (Silicon Carbide)1200V27A (Tc)20V150 mOhm @ 14A, 20V4V @ 7mA80nC @ 20V+22V, -6V1125pF @ 800V
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139W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-247-3TO-247-3
Littelfuse Inc. MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3 ActiveN-ChannelSiCFET (Silicon Carbide)1200V39A (Tc)20V100 mOhm @ 20A, 20V4V @ 10mA95nC @ 20V+22V, -6V1825pF @ 800V
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179W (Tc)-55°C ~ 150°CThrough HoleTO-247-3TO-247-3