Artikelnummer Hersteller / Marke Kurze Beschreibung TeilstatusFET TypFET-EigenschaftDrain auf Source-Spannung (Vdss)Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° CRds Ein (Max) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdGate Ladung (Qg) (Max) @ VgsEingangskapazität (Ciss) (Max) @ VdsLeistung maxBetriebstemperaturBefestigungsartPaket / FallLieferantengerätepaket
Transphorm CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE Last Time Buy2 N-Channel (Half Bridge)GaNFET (Gallium Nitride)600V70A (Tc)34 mOhm @ 30A, 8V
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28nC @ 8V2260pF @ 100V470W-40°C ~ 150°C (TJ)Through HoleModuleModule