제조 업체 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
부품 번호 | 제조업체 / 브랜드 | 간단한 설명 | 부품 상태 | FET 유형 | FET 기능 | 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 전력 - 최대 | 작동 온도 | 실장 형 | 패키지 / 케이스 | 공급 업체 장치 패키지 |
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Transphorm | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE | Last Time Buy | 2 N-Channel (Half Bridge) | GaNFET (Gallium Nitride) | 600V | 70A (Tc) | 34 mOhm @ 30A, 8V | 28nC @ 8V | 2260pF @ 100V | 470W | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | Module | Module |