Artikelnummer Hersteller / Marke Kurze Beschreibung TeilstatusFET TypFET-EigenschaftDrain auf Source-Spannung (Vdss)Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° CRds Ein (Max) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdGate Ladung (Qg) (Max) @ VgsEingangskapazität (Ciss) (Max) @ VdsLeistung maxBetriebstemperaturBefestigungsartPaket / FallLieferantengerätepaket
Comchip Technology MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363 Active2 P-Channel (Dual)Standard20V660mA (Ta)520 mOhm @ 1A, 4.5V1.1V @ 250µA
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170pF @ 16V150mW-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363