Fabricants pour Transistors - FET, MOSFET - Matrices
| Numéro d'article | Fabricant / marque | Brève description | État de la pièce | FET Type | FET Caractéristique | Drain à la tension de source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs (th) (Max) @ Id | Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | Puissance - Max | Température de fonctionnement | Type de montage | Paquet / cas | Package de périphérique fournisseur |
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| Transphorm | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE | Last Time Buy | 2 N-Channel (Half Bridge) | GaNFET (Gallium Nitride) | 600V | 70A (Tc) | 34 mOhm @ 30A, 8V | 28nC @ 8V | 2260pF @ 100V | 470W | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | Module | Module |