Artikelnummer Hersteller / Marke Kurze Beschreibung TeilstatusFET TypFET-EigenschaftDrain auf Source-Spannung (Vdss)Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° CRds Ein (Max) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdGate Ladung (Qg) (Max) @ VgsEingangskapazität (Ciss) (Max) @ VdsLeistung maxBetriebstemperaturBefestigungsartPaket / FallLieferantengerätepaket
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP Obsolete2 N-Channel (Dual)Logic Level Gate20V8A23 mOhm @ 8A, 4.5V
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21nC @ 4.5V1530pF @ 10V2.3W150°C (TJ)Surface Mount8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)8-SOP