제조 업체 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
| 부품 번호 | 제조업체 / 브랜드 | 간단한 설명 | 부품 상태 | FET 유형 | FET 기능 | 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 전력 - 최대 | 작동 온도 | 실장 형 | 패키지 / 케이스 | 공급 업체 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC | Active | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190 Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | ||||
| Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP | Active | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190 Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | Through Hole | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-PDIP | |||
| Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC | Active | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190 Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC |