のメーカー トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
| 品番 | メーカー/ブランド | 簡単な説明 | 部品ステータス | FETタイプ | FET機能 | ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | Rds On（Max）@ Id、Vgs | Vgs（th）（Max）@ Id | ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 電力 - 最大 | 動作温度 | 取付タイプ | パッケージ/ケース | サプライヤデバイスパッケージ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC | Active | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190 Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | ||||
| Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP | Active | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190 Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | Through Hole | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-PDIP | |||
| Monolithic Power Systems Inc. | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC | Active | 3 N-Channel, Common Gate | Standard | 600V | 80mA | 190 Ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250µA | 1.3W | -20°C ~ 125°C (TJ) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC |