TPD3215M Transphorm Distributeur
| Référence fabricant | TPD3215M |
|---|---|
| Fabricant / marque | Transphorm |
| quantité disponible | 22610 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TPD3215M.pdf |
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- Numéro d'article
- TPD3215M
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Last Time Buy
- FET Type
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Caractéristique
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 600V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 70A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 34 mOhm @ 30A, 8V
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 28nC @ 8V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 2260pF @ 100V
- Puissance - Max
- 470W
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Paquet / cas
- Module
- Package de périphérique fournisseur
- Module
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- TPD3215M
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