Номер детали производителяDF200R12KE3HOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество59450 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIGBT MODULE VCES 1200V 200A
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию DF200R12KE3HOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DF200R12KE3HOSA1 в течение 24 часов.

номер части
DF200R12KE3HOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип IGBT
-
конфигурация
Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
-
Мощность - макс.
1040W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
14nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
-40°C ~ 125°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
DF200R12KE3HOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "DF200"

номер части производитель Описание
DF2005-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF
DF2005S-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF
DF2005ST-G Comchip Technology RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF
DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1