DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | DF200R12PT4B6BOSA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 92450 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Категория продукта | Транзисторы - IGBT - Модули |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | DF200R12PT4B6BOSA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DF200R12PT4B6BOSA1 в течение 24 часов.
- номер части
- DF200R12PT4B6BOSA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип IGBT
- Trench Field Stop
- конфигурация
- Three Phase Inverter
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 1200V
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 300A
- Мощность - макс.
- 1100W
- Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
- 2.1V @ 15V, 200A
- Ток - отсечка коллектора (макс.)
- 15µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce
- 12.5nF @ 25V
- вход
- Standard
- Термистор NTC
- Yes
- Рабочая Температура
- -40°C ~ 150°C
- Тип монтажа
- Chassis Mount
- Упаковка / чехол
- Module
- Пакет устройств поставщика
- Module
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- DF200R12PT4B6BOSA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
Связанные ключевые слова "DF200R"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12PT4B6BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 |