DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | DF200R12KE3HOSA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 59450 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Moduli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | DF200R12KE3HOSA1.pdf |
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- Numero di parte
- DF200R12KE3HOSA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo IGBT
-
- Configurazione
- Single
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 1200V
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
-
- Potenza - Max
- 1040W
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.15V @ 15V, 200A
- Corrente - Limite del collettore (max)
- 5mA
- Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
- 14nF @ 25V
- Ingresso
- Standard
- Termistore NTC
- No
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 125°C
- Tipo di montaggio
- Chassis Mount
- Pacchetto / caso
- Module
- Pacchetto dispositivo fornitore
- Module
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- DF200R12KE3HOSA1
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