DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | DF200R12KE3HOSA1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 59450 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | DF200R12KE3HOSA1.pdf |
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- Numéro d'article
- DF200R12KE3HOSA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type d'IGBT
-
- Configuration
- Single
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 1200V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
-
- Puissance - Max
- 1040W
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.15V @ 15V, 200A
- Courant - Coupure du collecteur (Max)
- 5mA
- Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
- 14nF @ 25V
- Contribution
- Standard
- Thermistance NTC
- No
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
- Type de montage
- Chassis Mount
- Paquet / cas
- Module
- Package de périphérique fournisseur
- Module
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- DF200R12KE3HOSA1
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