DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies Distributeur
| Référence fabricant | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 139580 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Modules |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf |
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- Numéro d'article
- DF200R12W1H3B27BOMA1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type d'IGBT
-
- Configuration
- 2 Independent
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 1200V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 30A
- Puissance - Max
- 375W
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 1.3V @ 15V, 30A
- Courant - Coupure du collecteur (Max)
- 1mA
- Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce
- 2nF @ 25V
- Contribution
- Standard
- Thermistance NTC
- Yes
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
- Type de montage
- Chassis Mount
- Paquet / cas
- Module
- Package de périphérique fournisseur
- Module
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- DF200R12W1H3B27BOMA1
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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| DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 |