Hersteller für Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
| Artikelnummer | Hersteller / Marke | Kurze Beschreibung | Teilstatus | FET Typ | Technologie | Drain auf Source-Spannung (Vdss) | Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | Vgs (th) (Max) @ Id | Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | FET-Eigenschaft | Verlustleistung (Max) | Betriebstemperatur | Befestigungsart | Lieferantengerätepaket | Paket / Fall |
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| Renesas Electronics America Inc. | MOSFET N-CH LGA | Obsolete | |||||||||||||||||
| Renesas Electronics America Inc. | IC MOSFET N-CH | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 5.5V | 12A (Ta) | 3.5V, 4.5V | 2.4 mOhm @ 12A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 6nC @ 3.5V | ±5.5V | 940pF @ 5.5V | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WLCSP (1.47x1.47) | 6-SMD, No Lead |