Numéro d'article Fabricant / marque Brève description État de la pièceFET TypeLa technologieDrain à la tension de source (Vdss)Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdCharge de porte (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ VdsFET CaractéristiqueDissipation de puissance (Max)Température de fonctionnementType de montagePackage de périphérique fournisseurPaquet / cas
Renesas Electronics America Inc. MOSFET N-CH LGA Obsolete
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Renesas Electronics America Inc. IC MOSFET N-CH Last Time BuyN-ChannelMOSFET (Metal Oxide)5.5V12A (Ta)3.5V, 4.5V2.4 mOhm @ 12A, 4.5V800mV @ 250µA6nC @ 3.5V±5.5V940pF @ 5.5V
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2.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount6-WLCSP (1.47x1.47)6-SMD, No Lead