Номер детали производителяA2T27S020GNR1
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество212300 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию A2T27S020GNR1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение A2T27S020GNR1 в течение 24 часов.

номер части
A2T27S020GNR1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
LDMOS
частота
400MHz ~ 2.7GHz
Усиление
21dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
10µA
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
185mA
Выходная мощность
20W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
TO-270BA
Пакет устройств поставщика
TO-270G-2
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
A2T27S020GNR1

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "A2T2"

номер части производитель Описание
A2T20H160W04NR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T20H330W24NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc. IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS