Número de pieza del fabricanteA2T27S020GNR1
Fabricante / MarcaNXP USA Inc.
Cantidad disponible212300 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - RF
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
A2T27S020GNR1
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
LDMOS
Frecuencia
400MHz ~ 2.7GHz
Ganancia
21dB
Voltaje - Prueba
28V
Valoración actual
10µA
Figura de ruido
-
Actual - Prueba
185mA
Salida de potencia
20W
Voltaje - Clasificación
65V
Paquete / caja
TO-270BA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-270G-2
Peso
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Solicitud
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Repuesto
A2T27S020GNR1

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Palabras clave relacionadas para "A2T2"

Número de pieza Fabricante Descripción
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A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc. IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS