A2T27S020GNR1 NXP USA Inc. Distributeur
| Référence fabricant | A2T27S020GNR1 |
|---|---|
| Fabricant / marque | NXP USA Inc. |
| quantité disponible | 212300 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - RF |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | A2T27S020GNR1.pdf |
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- Numéro d'article
- A2T27S020GNR1
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type de transistor
- LDMOS
- La fréquence
- 400MHz ~ 2.7GHz
- Gain
- 21dB
- Tension - Test
- 28V
- Note actuelle
- 10µA
- Figure de bruit
-
- Actuel - Test
- 185mA
- Puissance - Sortie
- 20W
- Tension - Rated
- 65V
- Paquet / cas
- TO-270BA
- Package de périphérique fournisseur
- TO-270G-2
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- A2T27S020GNR1
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Mots-clés associés pour "A2T2"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
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| A2T20H330W24NR6 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2T20H330W24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
| A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL |
| A2T21H140-24SR3 | NXP USA Inc. | RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4 |
| A2T21H360-23NR6 | NXP USA Inc. | RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S |
| A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
| A2T21H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
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| A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
| A2T21S161W12SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |