Номер детали производителяA2T21H360-23NR6
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Доступное количество166830 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеRF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию A2T21H360-23NR6.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение A2T21H360-23NR6 в течение 24 часов.

номер части
A2T21H360-23NR6
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип транзистора
LDMOS (Dual)
частота
2.11GHz ~ 2.2GHz
Усиление
16.8dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
10µA
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
500mA
Выходная мощность
373W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
OM-1230-4L2L
Пакет устройств поставщика
OM-1230-4L2L
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
A2T21H360-23NR6

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "A2T21"

номер части производитель Описание
A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc. IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO