TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
Número da peça do fabricante | TPN4R712MD,L1Q |
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Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
Quantidade disponível | 94810 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | TPN4R712MD,L1Q.pdf |
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- Número da peça
- TPN4R712MD,L1Q
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 20V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 36A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 65nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 4300pF @ 10V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 42W (Tc)
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Pacote / Caso
- 8-PowerVDFN
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- TPN4R712MD,L1Q
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