TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | TPN4R712MD,L1Q |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| verfügbare Anzahl | 94810 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | TPN4R712MD,L1Q.pdf |
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- Artikelnummer
- TPN4R712MD,L1Q
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- P-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 20V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 36A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 1mA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 65nC @ 5V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 4300pF @ 10V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 42W (Tc)
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Paket / Fall
- 8-PowerVDFN
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- TPN4R712MD,L1Q
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In Verbindung stehende Schlüsselwörter "TPN4"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| TPN4R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV |
| TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON |
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |