TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
| 製造業者識別番号 | TPN4R712MD,L1Q |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 利用可能な数量 | 94810 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TPN4R712MD,L1Q.pdf |
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- 品番
- TPN4R712MD,L1Q
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- P-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 20V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 36A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 1.2V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 65nC @ 5V
- Vgs（最大）
- ±12V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 4300pF @ 10V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 42W (Tc)
- 動作温度
- 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- パッケージ/ケース
- 8-PowerVDFN
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- TPN4R712MD,L1Q
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
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関連キーワード "TPN4"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| TPN4R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV |
| TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON |
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |