MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. Distribuidor
| Número da peça do fabricante | MT47R512M4EB-25E:C |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Micron Technology Inc. |
| Quantidade disponível | 156850 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Categoria de Produto | Memória |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | MT47R512M4EB-25E:C.pdf |
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- Número da peça
- MT47R512M4EB-25E:C
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Discontinued at -
- Tipo de memória
- Volatile
- Formato de Memória
- DRAM
- Tecnologia
- SDRAM - DDR2
- Tamanho da memória
- 2Gb (512M x 4)
- Freqüência do relógio
- 400MHz
- Escreva tempo de ciclo - Palavra, Página
- 15ns
- Tempo de acesso
- 400ps
- Interface de Memória
- Parallel
- Tensão - Fornecimento
- 1.55 V ~ 1.9 V
- Temperatura de operação
- 0°C ~ 85°C (TC)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- 60-TFBGA
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- 60-FBGA (9x11.5)
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- MT47R512M4EB-25E:C
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| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| MT47R512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |