Hersteller-TeilenummerMT47R512M4EB-25E:C
Hersteller / MarkeMicron Technology Inc.
verfügbare Anzahl156850 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
ProduktkategorieSpeicher
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
MT47R512M4EB-25E:C
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Discontinued at -
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR2
Speichergröße
2Gb (512M x 4)
Taktfrequenz
400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
400ps
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.55 V ~ 1.9 V
Betriebstemperatur
0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
60-TFBGA
Lieferantengerätepaket
60-FBGA (9x11.5)
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
MT47R512M4EB-25E:C

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA