Référence fabricantMT47R512M4EB-25E:C
Fabricant / marqueMicron Technology Inc.
quantité disponible156850 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
MT47R512M4EB-25E:C
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Discontinued at -
Type de mémoire
Volatile
Format de la mémoire
DRAM
La technologie
SDRAM - DDR2
Taille mémoire
2Gb (512M x 4)
Fréquence d'horloge
400MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
15ns
Temps d'accès
400ps
Interface de mémoire
Parallel
Tension - Alimentation
1.55 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement
0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
60-TFBGA
Package de périphérique fournisseur
60-FBGA (9x11.5)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
MT47R512M4EB-25E:C

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Numéro d'article Fabricant La description
MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA