MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. Distributeur
Référence fabricant | MT47R512M4EB-25E:C |
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Fabricant / marque | Micron Technology Inc. |
quantité disponible | 156850 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
catégorie de produit | Mémoire |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | MT47R512M4EB-25E:C.pdf |
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- Numéro d'article
- MT47R512M4EB-25E:C
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Discontinued at -
- Type de mémoire
- Volatile
- Format de la mémoire
- DRAM
- La technologie
- SDRAM - DDR2
- Taille mémoire
- 2Gb (512M x 4)
- Fréquence d'horloge
- 400MHz
- Écrire un temps de cycle - Word, Page
- 15ns
- Temps d'accès
- 400ps
- Interface de mémoire
- Parallel
- Tension - Alimentation
- 1.55 V ~ 1.9 V
- Température de fonctionnement
- 0°C ~ 85°C (TC)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 60-TFBGA
- Package de périphérique fournisseur
- 60-FBGA (9x11.5)
- Poids
- Contact us
- Application
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- Pièce de rechange
- MT47R512M4EB-25E:C
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Mots-clés associés pour "MT47R5"
Numéro d'article | Fabricant | La description |
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MT47R512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |