IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | IPAN65R650CEXKSA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 137340 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | IPAN65R650CEXKSA1.pdf |
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- Número da peça
- IPAN65R650CEXKSA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 650V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 10.1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 650 mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 210µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 23nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 440pF @ 100V
- FET Feature
- Super Junction
- Dissipação de energia (máx.)
- 28W (Tc)
- Temperatura de operação
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PG-TO220 Full Pack
- Pacote / Caso
- TO-220-3 Full Pack
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- IPAN65R650CEXKSA1
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