IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies Distributore
| codice articolo del costruttore | IPAN65R650CEXKSA1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Infineon Technologies |
| quantité disponible | 137340 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IPAN65R650CEXKSA1.pdf |
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- Numero di parte
- IPAN65R650CEXKSA1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 10.1A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 650 mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 210µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 23nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 440pF @ 100V
- Caratteristica FET
- Super Junction
- Dissipazione di potenza (max)
- 28W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PG-TO220 Full Pack
- Pacchetto / caso
- TO-220-3 Full Pack
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- IPAN65R650CEXKSA1
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| IPAN60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 9.9A TO220 |
| IPAN60R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 8.4A TO220 |
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3 |