Hersteller-TeilenummerIPAN65R650CEXKSA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl137340 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
IPAN65R650CEXKSA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
10.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
FET-Eigenschaft
Super Junction
Verlustleistung (Max)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall
TO-220-3 Full Pack
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
IPAN65R650CEXKSA1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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