H7N1002LS-E Renesas Electronics America 配給業者
| 製造業者識別番号 | H7N1002LS-E |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Renesas Electronics America |
| 利用可能な数量 | 162470 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | H7N1002LS-E.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します H7N1002LS-E 24時間以内に。
- 品番
- H7N1002LS-E
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 100V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 75A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 10 mOhm @ 37.5A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
-
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 155nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 9700pF @ 10V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 100W (Tc)
- 動作温度
- 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- 4-LDPAK
- パッケージ/ケース
- SC-83
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- H7N1002LS-E
によって作られた関連部品 Renesas Electronics America
関連キーワード "H7N"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| H7N1002LS-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| H7N1002LSTL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| H7N80 | STMicroelectronics | H7N80 STM IC TO-3P |
| H7N90 | STMicroelectronics | H7N90 STM IC TO-3P |
| H7NA80 | STMicroelectronics | H7NA80 STM IC TO-3P |
| H7NA80FI | STMicroelectronics | H7NA80FI STM IC TO-3P |