H7N1002LS-E Renesas Electronics America Distributore
| codice articolo del costruttore | H7N1002LS-E |
|---|---|
| Produttore / Marca | Renesas Electronics America |
| quantité disponible | 162470 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | H7N1002LS-E.pdf |
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- Numero di parte
- H7N1002LS-E
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 75A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 10 mOhm @ 37.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 155nC @ 10V
- Vgs (massimo)
- ±20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 9700pF @ 10V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 100W (Tc)
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 4-LDPAK
- Pacchetto / caso
- SC-83
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- H7N1002LS-E
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| H7N1002LS-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| H7N1002LSTL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| H7N80 | STMicroelectronics | H7N80 STM IC TO-3P |
| H7N90 | STMicroelectronics | H7N90 STM IC TO-3P |
| H7NA80 | STMicroelectronics | H7NA80 STM IC TO-3P |
| H7NA80FI | STMicroelectronics | H7NA80FI STM IC TO-3P |