Hersteller-TeilenummerH7N1002LS-E
Hersteller / MarkeRenesas Electronics America
verfügbare Anzahl162470 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 100V LDPAK
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
H7N1002LS-E
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
75A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9700pF @ 10V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
4-LDPAK
Paket / Fall
SC-83
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
H7N1002LS-E

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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