TPD3215M Transphorm Distributore
| codice articolo del costruttore | TPD3215M |
|---|---|
| Produttore / Marca | Transphorm |
| quantité disponible | 22610 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | TPD3215M.pdf |
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- Numero di parte
- TPD3215M
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Last Time Buy
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Caratteristica FET
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 70A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 34 mOhm @ 30A, 8V
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 28nC @ 8V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2260pF @ 100V
- Potenza - Max
- 470W
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto / caso
- Module
- Pacchetto dispositivo fornitore
- Module
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- TPD3215M
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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