TPD3215M Transphorm Distribuidor
| Número da peça do fabricante | TPD3215M |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Transphorm |
| Quantidade disponível | 22610 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | TPD3215M.pdf |
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- Número da peça
- TPD3215M
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Last Time Buy
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 600V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 70A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 34 mOhm @ 30A, 8V
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 28nC @ 8V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2260pF @ 100V
- Power - Max
- 470W
- Temperatura de operação
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Pacote / Caso
- Module
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- Module
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- TPD3215M
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