MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | MT3S113P(TE12L,F) |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 93910 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - RF |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | MT3S113P(TE12L,F).pdf |
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- Numero di parte
- MT3S113P(TE12L,F)
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Transistor Type
- NPN
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 5.3V
- Frequenza - Transizione
- 7.7GHz
- Figura del rumore (dB Typ @ f)
- 1.45dB @ 1GHz
- Guadagno
- 10.5dB
- Potenza - Max
- 1.6W
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 200 @ 30mA, 5V
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 100mA
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- TO-243AA
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PW-MINI
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- MT3S113P(TE12L,F)
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| MT3S113(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| MT3S113P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
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