Número de pieza del fabricanteMT3S113P(TE12L,F)
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible93910 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
categoria de productoTransistores - Bipolar (BJT) - RF
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
MT3S113P(TE12L,F)
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
5.3V
Frecuencia - Transición
7.7GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)
1.45dB @ 1GHz
Ganancia
10.5dB
Potencia - Max
1.6W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor
PW-MINI
Peso
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Solicitud
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Repuesto
MT3S113P(TE12L,F)

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Número de pieza Fabricante Descripción
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