codice articolo del costruttoreMT3S113(TE85L,F)
Produttore / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible50930 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneRF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - RF
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
MT3S113(TE85L,F)
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
5.3V
Frequenza - Transizione
12.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)
1.45dB @ 1GHz
Guadagno
11.8dB
Potenza - Max
800mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)
100mA
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
S-Mini
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
MT3S113(TE85L,F)

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