Référence fabricantTPN2R805PL,L1Q
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible117280 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
TPN2R805PL,L1Q
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)
45V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
139A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Surface Mount
Package de périphérique fournisseur
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / cas
8-PowerVDFN
Poids
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Application
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Pièce de rechange
TPN2R805PL,L1Q

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