TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
| Référence fabricant | TPN2R304PL,L1Q |
|---|---|
| Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 99000 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 40V 80A TSON |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | TPN2R304PL,L1Q.pdf |
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- Numéro d'article
- TPN2R304PL,L1Q
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 40V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.3 mOhm @ 40A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.4V @ 0.3mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 41nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 3600pF @ 20V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 630mW (Ta), 104W (Tc)
- Température de fonctionnement
- 175°C
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Paquet / cas
- 8-PowerVDFN
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- TPN2R304PL,L1Q
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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| TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 80A TSON |
| TPN2R503NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV |
| TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON |
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