製造業者識別番号TPN2R805PL,L1Q
メーカー/ブランドToshiba Semiconductor and Storage
利用可能な数量117280 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TPN2R805PL,L1Q.pdf

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品番
TPN2R805PL,L1Q
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
45V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
139A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.4V @ 300µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
39nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
3.2nF @ 22.5V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
動作温度
175°C
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
重量
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応用
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交換部品
TPN2R805PL,L1Q

によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage

関連キーワード "TPN2"

品番 メーカー 説明
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