Référence fabricantA2T21H450W19SR6
Fabricant / marqueNXP USA Inc.
quantité disponible100960 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève description2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique A2T21H450W19SR6.pdf

S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour A2T21H450W19SR6 Dans les 24 heures.

Numéro d'article
A2T21H450W19SR6
Statut de production (cycle de vie)
Contact us
Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
LDMOS
La fréquence
2.11GHz ~ 2.2GHz
Gain
15.7dB
Tension - Test
30V
Note actuelle
10µA
Figure de bruit
-
Actuel - Test
800mA
Puissance - Sortie
390W
Tension - Rated
65V
Paquet / cas
NI-1230S-4S4S
Package de périphérique fournisseur
NI-1230S-4S4S
Poids
Contact us
Application
Email for details
Pièce de rechange
A2T21H450W19SR6

Composants connexes fabriqués par NXP USA Inc.

Mots-clés associés pour "A2T21"

Numéro d'article Fabricant La description
A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc. IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO