Numéro d'article Fabricant / marque Brève description État de la pièceConfiguration de diodeType de diodeTension - DC Reverse (Vr) (Max)Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)Tension - Avant (Vf) (Max) @ SiLa vitesseTemps de récupération inverse (trr)Courant - Fuite inverse @ VrTempérature de fonctionnement - JonctionType de montagePaquet / casPackage de périphérique fournisseur
IXYS-RF DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V DE150 Active3 Common AnodeSilicon Carbide Schottky600V10A1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns50µA @ 600V-55°C ~ 175°CSurface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE150
IXYS-RF DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V DE150 Active3 Common CathodeSilicon Carbide Schottky600V10A1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns50µA @ 600V-55°C ~ 175°CSurface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE150
IXYS-RF DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V DE150 Active3 IndependentSilicon Carbide Schottky600V10A1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns50µA @ 600V-55°C ~ 175°CSurface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE150
IXYS-RF DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V DE275 Active3 Common CathodeSilicon Carbide Schottky1200V5A1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns200µA @ 1200V-55°C ~ 175°CSurface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE275
IXYS-RF DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V DE275 Active3 IndependentSilicon Carbide Schottky1200V5A1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns200µA @ 1200V-55°C ~ 175°CSurface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE275
IXYS-RF DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V DE275 Active3 Common AnodeSilicon Carbide Schottky1200V5A1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns200µA @ 1200V-55°C ~ 175°CSurface Mount6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE275