TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Cantidad disponible | 27890 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf |
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- Número de pieza
- TPC8A02-H(TE12L,Q)
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 30V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 16A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.6 mOhm @ 8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 1mA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1970pF @ 10V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 1W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Paquete / caja
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Peso
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- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- TPC8A02-H(TE12L,Q)
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Palabras clave relacionadas para "TPC8A0"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP |
| TPC8A06-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |