TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 27890 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf |
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- Número da peça
- TPC8A02-H(TE12L,Q)
- Status de produção (ciclo de vida)
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- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 30V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 16A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.6 mOhm @ 8A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1970pF @ 10V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 1W (Ta)
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Pacote / Caso
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Peso
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- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- TPC8A02-H(TE12L,Q)
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| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| TPC8A02-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP |
| TPC8A06-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP |