TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | TPC8062-H,LQ(CM |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Cantidad disponible | 90400 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | TPC8062-H,LQ(CM.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de TPC8062-H,LQ(CM en 24 horas.
- Número de pieza
- TPC8062-H,LQ(CM
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 30V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 18A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.8 mOhm @ 9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 300µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2900pF @ 10V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 1W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Surface Mount
- Paquete de dispositivo del proveedor
- 8-SOP
- Paquete / caja
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- TPC8062-H,LQ(CM
Componentes relacionados hechos por Toshiba Semiconductor and Storage
Palabras clave relacionadas para "TPC80"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| TPC8002C | FAIRCHILD | TPC8002C FAIRCHILD IC SOP-8 |
| TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP |
| TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8017-H(TE12LQM) | Texas Instruments （TI） | TPC8017-H(TE12LQM) TI Original IC |
| TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
| TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B |
| TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| TPC8026(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8026(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8028(TE12L，Q，M) | Texas Instruments （TI） | TPC8028(TE12L，Q，M) TI Original IC |
| TPC8031-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8032-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B |