IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | IPD65R190C7ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Infineon Technologies |
| verfügbare Anzahl | 184510 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | IPD65R190C7ATMA1.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IPD65R190C7ATMA1 innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- IPD65R190C7ATMA1
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 650V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 13A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 190 mOhm @ 5.7A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 290µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 23nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1150pF @ 400V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 72W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- PG-TO252-3
- Paket / Fall
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- IPD65R190C7ATMA1
Verwandte Komponenten von Infineon Technologies
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IPD65"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 |
| IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 |
| IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
| IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
| IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 |
| IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 |
| IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 |
| IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 |