Hersteller-TeilenummerIPD65R1K4C6ATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl181000 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH TO252-3
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
IPD65R1K4C6ATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 100V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
PG-TO252-3
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
IPD65R1K4C6ATMA1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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