IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | IPD65R190C7ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 184510 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | IPD65R190C7ATMA1.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para IPD65R190C7ATMA1 dentro de 24 horas.
- Número da peça
- IPD65R190C7ATMA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 650V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 13A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 190 mOhm @ 5.7A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 290µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 23nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1150pF @ 400V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 72W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PG-TO252-3
- Pacote / Caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- IPD65R190C7ATMA1
Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies
;;3.jpg "IRFU3607TRL701P")
Palavras-chave relacionadas para "IPD65"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 |
| IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 |
| IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
| IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 |
| IPD65R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 |
| IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 |
| IPD65R250C6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 |
| IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
| IPD65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 |