Номер детали производителяW949D2DBJX5E
Производитель / МаркаWinbond Electronics
Доступное количество164550 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Категория продуктаПамять
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию W949D2DBJX5E.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение W949D2DBJX5E в течение 24 часов.

номер части
W949D2DBJX5E
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Active
Тип памяти
Volatile
Формат памяти
DRAM
Технологии
SDRAM - Mobile LPDDR
Размер памяти
512Mb (16M x 32)
Частота часов
200MHz
Время цикла записи - слово, страница
15ns
Время доступа
5ns
Интерфейс памяти
Parallel
Напряжение - Поставка
1.7 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура
-25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа
Surface Mount
Упаковка / чехол
90-TFBGA
Пакет устройств поставщика
90-VFBGA (8x13)
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
W949D2DBJX5E

Связанные компоненты сделаны Winbond Electronics

Связанные ключевые слова "W949"

номер части производитель Описание
W949D2DBJX5E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
W949D6DBHX5E Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR Winbond Electronics IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA